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深圳市吉铭贸易有限公司
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产品信息
2SK2698
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
商标: Toshiba
配置: Single
高度: 20 mm
长度: 15.5 mm
产品类型: MOSFET
系列: 2SK2698
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
单位重量: 4.600 g
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
商标: Toshiba
配置: Single
高度: 20 mm
长度: 15.5 mm
产品类型: MOSFET
系列: 2SK2698
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
单位重量: 4.600 g
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
商标: Toshiba
配置: Single
高度: 20 mm
长度: 15.5 mm
产品类型: MOSFET
系列: 2SK2698
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
单位重量: 4.600 g
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
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Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 15 A
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商标: Toshiba
配置: Single
高度: 20 mm
长度: 15.5 mm
产品类型: MOSFET
系列: 2SK2698
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
单位重量: 4.600 g
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通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 15 A
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商标: Toshiba
配置: Single
高度: 20 mm
长度: 15.5 mm
产品类型: MOSFET
系列: 2SK2698
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
单位重量: 4.600 g