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深圳市吉铭贸易有限公司
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产品信息
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 200 mV
直流电集电极电流: 600 mA
Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: -
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT5551L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
直流电流增益 hFE 值: 250
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 200 mV
直流电集电极电流: 600 mA
Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: -
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT5551L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
直流电流增益 hFE 值: 250
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 200 mV
直流电集电极电流: 600 mA
Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: -
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT5551L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
直流电流增益 hFE 值: 250
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 200 mV
直流电集电极电流: 600 mA
Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: -
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT5551L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
直流电流增益 hFE 值: 250
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 200 mV
直流电集电极电流: 600 mA
Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: -
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT5551L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
直流电流增益 hFE 值: 250
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 200 mV
直流电集电极电流: 600 mA
Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: -
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT5551L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
直流电流增益 hFE 值: 250
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G